在代工市場(chǎng)上，唯一可以和臺(tái)積電抗衡的，就是三星了(Intel高調(diào)殺入但還需進(jìn)一步觀察)，雙方在先進(jìn)工藝進(jìn)展上也是互不相讓?zhuān)?nm、5nm、3nm、2nm你追我趕。

　　在最新舉辦的三星代工論壇2021大會(huì)上，三星就披露了最新的工藝進(jìn)展和路線圖。

　　FinFET晶體管結(jié)構(gòu)潛力幾乎已經(jīng)被挖掘殆盡，三星的下一步是GAA環(huán)繞柵極，3nm工藝上分為兩個(gè)版本，其中3GAE(低功耗版)將在2022年年初投入量產(chǎn)，3GAP(高性能版)則會(huì)在2023年年初批量生產(chǎn)。

　　對(duì)比5nm，三星新的3nm GAA可以讓面積縮小35%，同功耗下性能提高30%，同性能下功耗降低50%。

　　2nm工藝沒(méi)有出現(xiàn)在公開(kāi)路線圖上，但是三星代工市場(chǎng)策略高級(jí)副總裁MoonSoo Kang透露，2GAP工藝會(huì)在2025年量產(chǎn)。

　　這是三星第一次透露2nm工藝的規(guī)劃，但三星也警告說(shuō)，新工藝進(jìn)度還要看客戶(hù)的規(guī)劃和部署，所以我們推測(cè)，2026年可能是見(jiàn)到三星2nm工藝產(chǎn)品上市的更合理時(shí)間。

　　臺(tái)積電方面的2nm工藝有望在2024年量產(chǎn)，領(lǐng)先三星一年左右。

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